| 版本*1 | 超高分辨率 配置 (UHR) |
高分辨率 配置（HR） |
高倾斜度样品 配置（HT） |
样品冷却 配置（CR） |
高对比度 配置（HC） |
|---|---|---|---|---|---|
| 解决 | |||||
| 粒子图像 晶格图像 |
0.19 纳米 0.1 纳米 |
0.23 纳米 0.1 纳米 |
0.25 纳米 0.1 纳米 |
0.27 纳米 0.14 纳米 |
0.31 纳米 0.14 纳米 |
| 能量分辨率 | 0.8 eV（零损耗半值范围） | ||||
| 加速电压 | 160千伏，200千伏*2 | ||||
| 最小可变宽度 能量偏移 |
50V 至 3,000V（步长 0.2V） |
||||
| 电子枪 | |||||
| 排放系统 | ZrO/W(100)肖特基法 | ||||
| 亮度 | ≥4 × 10⁸ A/cm² · sr | ||||
| 真空度 | ×10 -8 Pa 顺序 | ||||
| 探针电流 | 1 nm 探针处电流为 0.5 nA | ||||
| 功率稳定性 | |||||
| 加速电压 | ≤ 1 × 10⁻⁶ /分钟 | ||||
| 物镜电流 | ≤ 1 × 10⁻⁶ /分钟 | ||||
| 滤波电流 | ≤ 1 × 10⁻⁶ /分钟 | ||||
| 物镜 | |||||
| 焦距 | 1.9毫米 | 2.3毫米 | 2.7毫米 | 2.8毫米 | 3.9毫米 |
| 球差系数 | 0.5毫米 | 1.0 毫米 | 1.4毫米 | 2.0 毫米 | 3.3毫米 |
| 色差系数 | 1.1毫米 | 1.4毫米 | 1.8毫米 | 2.1毫米 | 3.0 毫米 |
| 最小对焦范围 | 1.0 纳米 | 1.4纳米 | 1.8 纳米 | 2.0 纳米 | 5.2 纳米 |
| 斑点大小 | |||||
| TEM模式 | 2–5 纳米 | 7–30 纳米 | |||
| EDS模式 | 0.5–2.4 纳米 | 1.0–2.4 纳米 | - | 4–20 纳米 | |
| NBD模式 | - | - | |||
| CBD模式 | 1.0–2.4 纳米 | - | |||
| 会聚电子衍射 | |||||
| 会聚角（2α） | 1.5至20毫弧度或更多 | - | |||
| 入射角 | ±10° | - | |||
| 放大 | |||||
| MAG模式 | 2,000 至 1,500,000 倍 | 2,000 至 1,200,000 倍 | ×1,500～1,000,000 | ×1,200 至 600,000 | |
| 低倍率模式 | ×50～1,500 | ||||
| SA MAG模式 | ×10,000～800,000 | 8,000 至 600,000 倍 | ×8,000～500,000 | 5,000 至 400,000 倍 | |
| 能量选择性成像 有效场大小 |
当选择 10eV 时，最终像平面（胶片）上的直径为 80mm。 当选择 2eV 时，最终像平面（胶片）上的直径为 25mm。 |
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| 相机长度 | |||||
| 有限场衍射 | 150–1,500 毫米 | 200–2,000 毫米 | 250–2,500 毫米 | 300–3,000 毫米 | |
| EELS分布 | |||||
| 缝隙 | 200 kV 时为 1.2 μm/eV | ||||
| 在最终图像平面上 | 200 kV 时为 50–300 μm/eV | ||||
| 样品间 | |||||
| 旅行金额（XY/Z） | 2毫米/0.2毫米 | 2毫米/0.4毫米 | 2毫米/0.4毫米 | 2毫米/0.4毫米 | 2毫米/0.4毫米 |
| 倾斜角度（X/Y）*3 | ±25° / ±25° | ±35°/±30° | ±42°/±30° | ±15° / ±10° | ±38°/±30° |
| 倾斜角度 (X) *4 | ±25° | ±80° | ±80° | ±80° | ±80° |
| EDS ※5 | |||||
| 立体角*6 | 0.13 sr | - | 0.09 sr | ||
| 出场角度 | 25° | - | 20° | ||
订购设备时，请选择其中一种配置。
使用加速管短路机构（可选）可实现 80、100 和 120 kV 的电压。
使用双轴倾斜支架放置样品时
使用高倾斜度样品台时
EDS是可选的。
安装 30mm² 探测器时的数值。
