| 电子辐照系统 | |
|---|---|
| 二次电子分辨率 | 3nm(25kV,10pA) |
| 奥氏分析中最小探针直径 | 8nm(25kV,1nA) |
| 电子枪 | 肖特基场发射型 |
| 加速电压 | 0.5–30千伏 |
| 探针电流 | 10⁻¹¹至2 × 10⁻⁷ A |
| 放大 | 25 到 500,000 次 |
| 俄歇电子能谱仪 | |
| 分析器 | 静电半球形分析仪(HSA) |
| 能量分辨率(ΔE/E) | 0.05%至0.6% |
| 敏感性 | 840,000 cps(7通道检测器) Cu-LMM,10kV,10nA |
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