特征
这是一款采用电子束轰击间接加热法的真空沉积源。
在传统型号（BS-60310BDS）的基础上增加了电子束扫描功能，
使其具备了高速沉积、厚膜沉积以及与大型设备兼容等特点。

增加衬里容量。

性能更优。与传统模型相比，其铝性能提升10倍，锗性能提升40倍。

适用于大型设备。即使TS距离为1.1米，也能获得足够的速率。

适用于厚膜应用，也适用于红外应用。

速率稳定。该系统实现了升华材料的速率稳定，这是传统模型难以实现的。

它也继承了前代产品的特点，例如低损伤、低缺陷和低吸收率。

利用轰击法加热的原理（概念图）

扩大了电子束辐照范围并提高了衬垫容量。
与传统型号相比，加入束流扫描功能显著拓宽了电子束照射范围，从而实现了更大的衬垫容量。

BS-60610BDS BS-60310BDS 与传统方法相比
氟化物
衬垫容量 12.8 毫升 7.5 毫升 1.7倍
铝
衬里容量 9.0 毫升 1.5 毫升 6.0次
适用于厚膜
衬垫容量的增加使得可以填充更多的沉积材料。这提高了单层衬垫可沉积的最大薄膜厚度，使其适用于红外应用。
此外，即使对于氟化镧等易升华材料，材料利用率也得到了提高，而这在传统型号中是难以实现的。

（当TS距离为1.1米时，薄膜厚度达到最大值）

BS-60610BDS BS-60310BDS 与传统方法相比
MgF2沉积 最大膜
厚度 400纳米 200纳米 2.0 次
LaF₃沉积 最大膜 厚度
400纳米 90纳米 4.5倍
铝沉积
最大膜厚度 2500纳米 250纳米 10.0 次
锗沉积
最大膜厚度 600纳米 数据未检索到。 -
硅沉积
最大膜厚度 400纳米 数据未检索到。 -
兼容高速率和大规模设备
通过扩大电子束辐照区域，电子束电流密度降低，从而可以在不损坏衬垫的情况下提高最大输出功率。此外，扩大的电子束辐照区域也增加了蒸发面积。
最大输出功率的提高和蒸发面积的扩大使得沉积速率得以提升。
在TS距离为1.1 m时，Al的沉积速率达到4 nm/s，Ge的沉积速率达到1 nm/s，使其适用于大型设备。

（使用铝颗粒，TS距离1.1米）


产量与铝沉积速率

锗沉积实例
即使在红外透射薄膜中使用锗，也能实现高速沉积（比传统方法快40倍），从而提高生产效率。此外，衬垫形状经过精心设计，可抑制沉积过程中的飞溅，从而实现稳定的沉积和低光吸收的薄膜形成。


与电子束沉积相比，锗沉积可实现更低飞溅和表面粗糙度值的薄膜形成。


MgF2沉积实例
这是在相同条件下，使用BS-60610BDS和电子束沉积MgF2时，透射率和反射率的综合对比数据。BS -60610BDS的一个关键特性是其能够沉积在300 nm附近具有低光吸收的MgF2薄膜。


这是MgF2单层薄膜厚度分布的数据。


铝沉积实例
这是采用 BS-60610BDS 和电子束蒸发法制备的铝膜三个批次反射率特性的对比数据。BS
-60610BDS 在光谱特性方面表现出较高的重复性（变异性较小），并实现了较高的反射率。


这是铝膜表面粗糙度的算术平均值数据。与电子束沉积相比，表面光滑度有所提高。