这是一款专为金属沉积而设计的电子枪。它标配坩埚和背散射电子阱，
可实现高速厚膜金属沉积。

坩埚后部的背散射电子阱能够捕获导致衬底温度升高的背散射电子。
即使在进行厚膜高速沉积时，衬底温度也能保持较低水平。
它适用于对温度升高要求极低的沉积方法，例如剥离沉积。

该设备提供两种类型的坩埚：四点式和六点式。它们
容量大，坩埚侧面采用水冷设计，并能防止相邻坩埚之间的交叉污染，从而
确保沉积的稳定性。

特征
反射式电子阱标准设备
为了捕获通常会扩散到腔室中的背散射电子，我们采用了一种高效的背散射电子陷阱。
同时，电子枪周围的冷却也得到了增强。通过抑制背散射电子的热效应和沉积源的辐射热，我们能够在保持衬底温度较低的同时实现高沉积速率。此外，
背散射电子辐照对衬底/基底材料及其下层材料的损伤也得到了抑制。

传统电子枪在薄膜沉积过程中，由于背散射电子的热效应以及蒸发源周围热辐射的影响，会导致温度升高。
当背散射电子撞击未冷却的腔室底部或壁面时，它们会被加热，产生二次和三次辐射热。
如果背散射电子直接进入衬底，衬底的温度升高会尤为显著。


反向散射电子陷阱的影响
在基片穹顶附近放置了一个热电偶，并在沉积4微米铝层时测量了温度升高。A
点位于坩埚正上方，是受坩埚热辐射影响最大的位置。B
点位于坩埚正上方，在横向（电子枪的Y方向）上。C
点位于坩埚正上方，在后向（电子枪的X方向）上，是反射电子的落点。


图中红线代表传统电子枪（203型电子枪）的温度升高。
反射电子撞击的C点温度显著升高。

图中蓝线代表BS-60210DEM电子枪的测量结果。
由于安装了背散射电子阱，背散射电子被捕获，从而抑制了C点的温度升高。

通过沉积 4 微米的铝并将基板温度保持在 60°C 以下，可以实现稳定的剥离沉积，而不会使光刻胶变形或硬化。

参考背散射电子

厚膜沉积
当与可选的 40 mL 大容量坩埚（4 点或 6 点型）结合使用时，可以进行厚膜沉积，并利用多种沉积材料形成多层膜。

高速气相沉积

对于需要比 BS-60211DEM / BS-60210DEM 提供的速率更高的应用，请考虑使用BS-60250DEM 电子枪或BS-60610BDS 轰击沉积源。

起飞过程
起飞过程流程


通过在真空沉积过程中将衬底温度抑制到大约 100°C 或低于光刻胶薄膜的耐热温度，可以防止形成底层的光刻胶薄膜图案发生变形，并提高剥离良率。

应用实例：在 LED、SAW 滤波器、功率器件、MEMS 等器件中形成电极薄膜/导线。