该等离子体源专为低温工艺设计，可抑制等离子体引起的基材和基体材料温度升高，同时提高作用于基材/基体的离子辐照能量。
它适用于塑料和有机薄膜的薄膜沉积（等离子体辅助沉积）以及表面改性等应用。

特征
即使不加热，它也能形成附着力好、堆积密度高的薄膜。
高密度等离子体能有效电离真空腔内的蒸汽和工艺气体。
此外，在衬底附近还会产生离子辅助效应，根据沉积材料的不同，还可以实现活化反应沉积（ARE）效应。
该装置采用内置式设计，而非法兰连接，并且束流照射角度可调，因此可以安装在各种布局的真空设备中，
也可以对现有真空腔进行改造。

ARE（活性反应气相沉积）
除了从正常等离子体源放电外，通过向蒸发源提供辅助功率，可以进行沉积，同时有效地电离坩埚上蒸发的材料。


在ITO沉积过程中，放电期间电子枪坩埚上的等离子体源和蒸汽被激活


在氧化物中，有望通过促进氧化来提高折射率并降低吸收；
而在透明导电薄膜中，有望提高导电性。

坩埚上是否发生放电现象取决于材料。

薄膜沉积实例
1. 防反射涂层


2. 透明导电膜


等离子表面处理实例

控制电源和操作屏幕

输出转换单位
通过使用可选的输出转换单元（BS-Z12127TPPS），可以实现等离子体输出和工艺稳定，并可进行广泛的输出调节。