光电二极管阵列和信号处理集成电路的组合


这款线阵传感器将硅光电二极管阵列与信号处理集成电路相结合。与之前的型号（S8865/S8866系列）相比，其抗X射线性能有所提升。信号处理集成电路采用CMOS工艺制造，集成了定时生成电路、移位寄存器、电荷放大器阵列、钳位电路和保持电路，简化了外部电路配置。此外，通过组合多个此类产品，可以构建长条形图像传感器。另有一种型号在光接收区域贴有荧光纸，用于X射线探测。


■特性
・数据速率：最高1MHz
・大元件间距：0.8mm间距×64通道
・5V电压驱动
・采用积分放大器阵列的同步积分方法
・采用移位寄存器进行时序信号读出
・低暗电流（光电二极管零偏置驱动）
・内置钳位电路，实现低噪声和宽动态范围
・内置定时发生器电路，可产生两种类型的脉冲
・另有在感光区贴有荧光纸的型号（用于X射线检测）
（S11865-64G/-128G，S11866-64G-02/-128G-02）