目的
・半导体制造
・电子枪排气、离子源排气
・FPD制造
・表面处理、表面改性
・制造各种电子元件
・分析和测试设备
灯泡制造、光学元件制造
加速器、辐射设施、核聚变研究
・热处理
・研发
*排放腐蚀性气体时，请选择与化学品兼容的 TG-M 或 TG 系列。
| 模型 | TG1100F | TG1100F*A*-60/TG1100F*W* | |
| 进气法兰 | VG200/ISO-B200/CF200 | ||
| 泵送速度 | N2 （升/秒） | 1100 | |
| N 2（带防护网）（升/秒） | 1000 | ||
| H2 （升/秒） | 720 | ||
| 最大压缩比 | N2 | 1× 108 | |
| H2 | 1× 104 | ||
| 极限压力 | （Pa/Torr） | < 1× 10⁻⁶ /<7.5×10⁻⁹ | |
| 最大气体流量*1*2 | (sccm) | 330 | 860 |
| 启动时间*2 | （分钟） | 7-9 | 5.5-7 |
| 停机时间*2 | （分钟） | 27-32 | 12-15 |
| 允许的辅助压力 | （Pa/Torr） | 330/2.5 | |
| 推荐的备用泵 | （升/分钟） | ≥250 | |
| 安装位置 | 自由 | ||
| 大量的 | VG・ISO-B/CF(kg) | 28/27 | |
| 控制器模型 | TC1104 | TC1103 *3 | |
