| 模型 |
PE IR 10X 2000 小时 |
PE IR 20X 2000 小时 |
PE IR 50X 2000 小时 |
| 放大 |
10倍 |
20倍 |
50倍 |
| 工作距离 |
20毫米 |
10毫米 |
10毫米 |
| 焦距（f） |
20毫米 |
10毫米 |
4毫米 |
| 不适用 |
0.33 |
0.6 |
0.7 |
| 解决 |
2.9 微米 |
1.6微米 |
1.4微米 |
| 景深（±DF） |
7.1 微米 |
2.1微米 |
1.5微米 |
| 透射波长：1300nm |
超过80% |
超过80% |
超过80% |
| 透射率：2000nm |
超过75% |
超过75% |
超过75% |
| 重量 |
490克 |
610克 |
560克 |
| 注：分辨率和焦深是使用波长 λ = 1550nm 计算的。 |
分辨率 = 0.61x1.55(λ)/NA，焦深 ±D(μm) = 1.55(λ)/[2(NA)2] |
近红外物镜 2000nm
PEIR2000HR 10倍、20倍和50倍
近红外2000nm物镜
PEIR10X-2000HRS 于2023年10月全新发布。
该物镜在2000nm波长下透射率超过75%。
它能有效检测半导体器件故障分析中由电流泄漏引起的极微弱光发射。
它能够利用穿透芯片背面硅层的红外光观察高度集成的多层半导体器件。
*可提供硅校正功能。详情请联系我们。
*已停产：PEIR20X-2000HR（2022年3月）
替代型号：PEIR20X-2000HRS
*已停产：PEIR50X-2000HR（2023年2月）
替代型号：PEIR50X-2000HRS
