特征
非接触式切割不会损伤硅片表面。
该工艺完全干式，非常适合加工MEMS器件等对加工负荷和水敏感的器件。
通过根据硅片厚度调整加工扫描次数，可以支持从薄片到厚片的各种厚度范围。
通过提高良率显著降低成本。
缩小切割划线宽度有助于显著提高良率并降低成本。
对于晶圆尺寸为 Φ 200 mm、芯片尺寸为 1.0 mm 的小型芯片器件，将切割划线宽度从 90 μm 改为 20 μm，芯片良率可提高 20% 或更多。
提高生产效率（吞吐量）
：采用高刚性平台。通过高输出激光组合，可实现 800 毫米/秒或更高的高速切割。
丰富的可选设置
与加工质量和生产效率相关的各种可选功能一应俱全，例如设备内部清洁（100 级）规范和晶圆厚度测量功能。
LAG（激光后研磨）工艺
特征
这种完全干式工艺非常适合对不耐水的微机电系统（MEMS）器件等进行切割。
通过缩小切割通道宽度，提高良率，从而降低成本。
规格
| 最大晶圆尺寸 | Φ300 毫米 | |
| 处理方法 |
晶圆处理 |
|
| X轴 | 发送速度输入范围 |
0.1 至 2,100 毫米/秒 |
| Y轴 | 解决 | 0.0002 毫米 |
| 定位精度 |
误差在 0.002 毫米/310 毫米以内 |
|
| 规格 | 尺寸（宽 x 深 x 高） | 1,712 毫米 × 2,960 毫米 × 1,800 毫米 |
| 重量 | 3000公斤 | |
