特征
新开发的研磨单元提高了主轴的旋转精度，并改善了表面粗糙度。
非接触式测量方法实现了稳定的对准
对预处理晶圆的多点厚度、后处理晶圆的直径和缺口深度进行非接触式测量
采用模块化设计，以实现最佳生产线。
可采用低损伤研磨方法，实现镜面抛光。
机器规格适用于 2 英寸至 6 英寸晶圆或 4 英寸至 8 英寸晶圆
能够进行各种材料加工，例如化学化合物半导体（Si、SiC、GaN、GaAs、LT、蓝宝石等）。
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