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设备概览
该系统用于评估功率半导体中绝缘膜在高温、高湿和高压应力条件下的时变击穿特性。
凭借高精度测量和器件保护功能，该系统支持器件开发和可靠性测试过程中的失效分析。
在对SiC-MOSFET、IGBT和二极管等功率半导体施加高达3000V的电压时，该系统可以测量漏电流。

一个系统中的三种测试模式
一个系统集成了 HTRB、HTGB 和 H3TRB 测试功能，可以在一个腔室中进行多功能评估。
②采用器件专用电流测量电路进行高精度电流测量
可对每个器件的漏极（集电极）和栅极进行电流测量。
即使同时测试多个器件，也能确定是否存在器件故障。
③无需重新布线即可测量I/V特性 I/
V特性可以在测试的任何阶段（测试前、测试中或测试后）进行测量，无需重新布线。
这使得能够有效地监测性能随时间的衰减。
有三种类型的I/V测量方法：
- Vth（阈值电压）
- 导通电阻
- 击穿电压
④设备保护功能，最大限度减少样品损坏
当样品在测试过程中发生绝缘击穿时，电流浪涌可能导致烧毁，从而使后续分析变得困难。
此类浪涌还会干扰同时进行的其他样品的测试。
为了最大限度降低这些风险，系统为每个样品配备了独立的保护功能，例如浪涌抑制和快速关断。

	HTR(G)B	H3TRB
应力电压（直流）	+100 至 3000 V 直流电（HTGB 为 0 V）
栅极电压（直流）	-30 至 +30 伏直流电（可选：-45 至 +45 伏）
通道数量	最多 48 个通道（用于温度箱）	最多 48 个通道（用于温湿度箱）
温度范围	最高温度 200°C （可选：最高可达 250°C）	85°C / 85% 相对湿度
静脉输液测量（可选）	阈值电压 (Vth)、导通电阻、击穿电压。详情请联系 ESPEC。