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货存 ESPEC 爱斯佩克 (时变介质击穿)评估系统 TDDB

特征
根据测量次数进行系统配置
TDDB 评估系统每个通道都配备一个 SM 模块,用于实现电压和电流输出及监测。SM
模块由一块包含四个 SMU 的电路板组成,标准配置(36 个 SMU)最多可容纳 9 块电路板。在晶圆级上,最多可扩展至 9 组(324 个 SMU)。

连接至被测设备
高精度电流和电压应用测量
该电流测量仪具有9个量程,最大电流测量分辨率为±100 mA,最小电流测量分辨率为±1 pA。电压测量仪的最大电压测量分辨率为±50 V,最小电压测量分辨率为±1 mV,因此能够实现宽量程、高精度的应用和测量。

测量端子连接图(TDDB)
提供的分析应用软件(E-Graph)
您可以实时查看测试的进度状态和测量值,它们会自动更新。测量完成后,您可以创建威布尔图,并根据测量结果评估试样的寿命。数据可以使用 Excel 或其他电子表格软件进行转换。
支持多种评估项目
TDDB 评估可以在晶圆级或玻璃基板级进行。
例如,润湿电流可以通过一个 SMU 端子连接晶圆表面接触焊盘(栅极)和背面(GND)来测量,也可以通过连接晶圆表面顶部两个接触焊盘(例如,栅极-GND)来测量。QDB
和 TZDB 评估也可以通过将四个 SMU 端子连接到构成晶体管的四个部分(漏极、栅极、基极和源极)来进行。

DUT 流程数
* 需要使用可选软件来评估 FET 单个晶体管的特性。

使用软件更改引脚分配
按机柜(36 个 SMU × 3 组)更改端子设置。
此外,还可以更改每个多 SMU 应用中相同数量端子的焊盘布局,从而在保持探针保护罩不变的情况下更改引脚分配。
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  • 详细介绍

设备概览

用于氧化膜可靠性评估

随着大规模集成电路(LSI)的密度不断提高、功能日益增强,氧化膜可靠性评估作为一项与LSI可靠性密切相关的评估手段,其需求日益增长。
该系统在识别因氧化膜特性和扁平化导致的失效原因方面发挥着重要作用,同时还能评估因晶圆、玻璃基板和封装材料减薄而导致的绝缘氧化膜电阻降低。

主要规格
电压/电流应用范围 -50V 至 +50V / -100mA 至 +100mA
解决 1 mV 增量 / 1 pA 增量
电压/电流测量范围 -50 V 至 +50 V / -100 mA 至 +100 mA
SMU数量 36 个 SMU 单位(最多 324 个 SMU)
本文网址 : https://www.yamakin-cn.com/product/6509.html

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