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现货 marubun丸文新通高功率1.0W紫外（379nm）半导体激光器 KLC330FL01WW

新顿科技（以下简称“本公司”）将开始量产一款采用直径9.0mm CAN封装（TO-9）[1]的高功率1.0W紫外（379nm）半导体激光器[2] ，该产品实现了业界领先(*)的光输出。该产品结合了本公司独特的器件结构和高效散热封装技术，实现了以往难以实现的紫外半导体激光器的“短波长”、“高输出”和“长寿命”特性。这将有助于先进半导体封装[3 ]的无掩模曝光[ 4 ]工艺的小型化和生产效率的提升。

（*）截至 2026 年 1 月 16 日，根据我们的研究，在 TO-9 CAN 封装半导体激光器中，波长为 379 nm 的连续波 (CW) 条件和外壳温度 (Tc) 为 25°C。

所属分类：
marubun丸文
发布时间： 2026-03-17

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详细介绍

目的

无口罩暴露
树脂固化
标记
3D打印
生物医学
汞灯等的替代光源

规格

新产品（紫外半导体激光器）

零件编号	KLC330FL01WW
波长	379纳米
光输出	1.0瓦
包装类型	TO-9 罐

基本产品信息

本产品的效果

在 379nm 波长范围内实现 0W 瓦级输出，有助于先进半导体封装的无掩模光刻技术实现小型化和提高生产效率。
我们独特的器件结构和封装技术提高了紫外半导体激光器的散热效率，紫外半导体激光器容易因短波长光而产生自发热和元件退化，从而有助于延长光学器件的使用寿命。
我们扩大了汞灯替代解决方案的产品线^[5]，并根据应用提高了产品选择的灵活性。

产品特性

该技术在379nm波段实现了1.0W的瓦级输出，有助于先进半导体封装的无掩模曝光工艺实现小型化并提高生产效率
。随着人工智能（AI）的演进，对先进信息处理能力的需求不断增长，半导体的性能也必须达到前所未有的高度。另一方面，晶体管的小型化已接近其物理和经济极限，因此人们的目光转向了半导体后端封装技术和先进半导体封装。先进半导体封装通过并排或垂直堆叠的方式集成多个半导体芯片。
在先进半导体封装中，连接多个半导体芯片的布线主要采用曝光技术，该技术使用汞的i线（365nm）和光掩模（电路母版）。然而，近年来，人们对无掩模曝光技术的兴趣日益浓厚。该技术无需使用光掩模，即可根据设计数据直接曝光（绘制）布线图案。
这项技术有望降低光掩模设计和制造所需的时间和成本。此外，由于可以根据待绘制物体的表面形状直接烧蚀出布线图案，因此对准和校正更加容易，目前正在研究其在先进半导体封装中的应用。
半导体激光器是这种无掩模曝光技术的主要光源之一，为了实现布线的微型化并提高设备的生产效率，需要其具有更短的波长（接近i线光源，即365nm）和更高的输出功率。为了满足这些需求，我们基于40多年的激光器设计和制造经验，开发了一款产品，并成功实现了波长为379nm、输出功率为1.0W的紫外半导体激光器的商业化。
我们独特的器件结构和封装技术提高了紫外半导体激光器的散热效率，克服了短波长光引起的自热和元件退化问题，从而延长了光学器件的使用寿命。
紫外半导体激光器通常具有光功率转换效率（WPE）较低[6]、自发热明显以及易受短波长光影响导致元件退化等缺点，难以在高功率输出（超过1.0W）下稳定运行。因此，我们从两个方面着手解决这个问题：“提高光功率转换效率的器件结构”和“高效散热的封装技术”。最终，我们成功研发出一款在紫外（379nm）波段、1.0W功率范围内兼具“短波长”、“高功率”和“长寿命”特性的产品，从而延长了紫外光器件的使用寿命。
- 为提高光电转换效率，
  除了优化发光层和光限制层外，还采用了一种独特的结构，能够精确控制杂质分布。这抑制了光吸收损耗和工作电压的升高，从而高效地将电能转换为光能。
- 采用高效散热封装技术，
  除了使用高导热材料的基板外，还重新设计了封装材料以降低热阻。这抑制了元件的温升，使其能够在高功率输出下稳定运行。
我们正在扩展汞灯替代解决方案的产品线，并根据应用场景提升产品选择的灵活性。
这款产品是我们“采用半导体激光器的汞灯替代解决方案”系列的新成员，为客户提供了新的选择。这使得客户能够根据应用场景、安装环境和所需性能灵活选择产品，从而提升系统设计的自由度。