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货存 marubun丸文 TO-9 CAN 紫外半导体激光器

[1] TO-9 CAN：
直径为 9.0 mm 的 CAN 型封装。
[2] 紫外半导体激光器：本公司对发射峰值波长约为 380 nm 或更短的激光的半导体激光器的命名。
[3] 先进半导体封装：一种将多个半导体芯片高密度集成在一起以优化性能和功率效率的封装技术。
[4] 无掩模曝光：一种无需使用光掩模，即可根据设计数据直接在基板上曝光光敏材料（光刻胶）以形成精细图案的技术。当使用激光时，也称为激光直接成像 (LDI)。
[5] 汞灯替代方案：本公司的半导体激光器产品线，可替代汞灯的 i 线 (365 nm)、h 线 (405 nm) 和 g 线 (436 nm) 发射线。我们建议使用紫外半导体激光器 (379 nm)、紫光半导体激光器 (402 nm) 和靛蓝半导体激光器 (420 nm) 的组合。
[6] 光功率转换效率 (WPE)：表示将光输出转换为电输入的效率的指标，通常表示半导体激光器的发光效率。也称为电能转换效率 (WPE)。

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marubun丸文
发布时间： 2026-03-17

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无口罩暴露
树脂固化
标记
3D打印
生物医学
汞灯等的替代光源
产品特性
1. 该技术在379nm波段实现了1.0W的瓦级输出，有助于先进半导体封装的无掩模曝光工艺实现小型化并提高生产效率
  。随着人工智能（AI）的演进，对先进信息处理能力的需求不断增长，半导体的性能也必须达到前所未有的高度。另一方面，晶体管的小型化已接近其物理和经济极限，因此人们的目光转向了半导体后端封装技术和先进半导体封装。先进半导体封装通过并排或垂直堆叠的方式集成多个半导体芯片。
  在先进半导体封装中，连接多个半导体芯片的布线主要采用曝光技术，该技术使用汞的i线（365nm）和光掩模（电路母版）。然而，近年来，人们对无掩模曝光技术的兴趣日益浓厚。该技术无需使用光掩模，即可根据设计数据直接曝光（绘制）布线图案。
  这项技术有望降低光掩模设计和制造所需的时间和成本。此外，由于可以根据待绘制物体的表面形状直接烧蚀出布线图案，因此对准和校正更加容易，目前正在研究其在先进半导体封装中的应用。
  半导体激光器是这种无掩模曝光技术的主要光源之一，为了实现布线的微型化并提高设备的生产效率，需要其具有更短的波长（接近i线光源，即365nm）和更高的输出功率。为了满足这些需求，我们基于40多年的激光器设计和制造经验，开发了一款产品，并成功实现了波长为379nm、输出功率为1.0W的紫外半导体激光器的商业化。
2. 我们独特的器件结构和封装技术提高了紫外半导体激光器的散热效率，克服了短波长光引起的自热和元件退化问题，从而延长了光学器件的使用寿命。
  紫外半导体激光器通常具有光功率转换效率（WPE）较低[6]、自发热明显以及易受短波长光影响导致元件退化等缺点，难以在高功率输出（超过1.0W）下稳定运行。因此，我们从两个方面着手解决这个问题：“提高光功率转换效率的器件结构”和“高效散热的封装技术”。最终，我们成功研发出一款在紫外（379nm）波段、1.0W功率范围内兼具“短波长”、“高功率”和“长寿命”特性的产品，从而延长了紫外光器件的使用寿命。
  - 为提高光电转换效率，
    除了优化发光层和光限制层外，还采用了一种独特的结构，能够精确控制杂质分布。这抑制了光吸收损耗和工作电压的升高，从而高效地将电能转换为光能。
  - 采用高效散热封装技术，
    除了使用高导热材料的基板外，还重新设计了封装材料以降低热阻。这抑制了元件的温升，使其能够在高功率输出下稳定运行。
3. 我们正在扩展汞灯替代解决方案的产品线，并根据应用场景提升产品选择的灵活性。
  这款产品是我们“采用半导体激光器的汞灯替代解决方案”系列的新成员，为客户提供了新的选择。这使得客户能够根据应用场景、安装环境和所需性能灵活选择产品，从而提升系统设计的自由度。
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