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设备概览
该系统用于评估功率半导体中绝缘膜在高温、高湿和高压应力条件下的时变击穿特性。
凭借高精度测量和器件保护功能，该系统支持器件开发和可靠性测试过程中的失效分析。
在对SiC-MOSFET、IGBT和二极管等功率半导体施加高达3000V的电压时，该系统可以测量漏电流。

	HTR(G)B	H3TRB
应力电压（直流）	+100 至 3000 V 直流电（HTGB 为 0 V）
栅极电压（直流）	-30 至 +30 伏直流电（可选：-45 至 +45 伏）
通道数量	最多 48 个通道（用于温度箱）	最多 48 个通道（用于温湿度箱）
温度范围	最高温度 200°C （可选：最高可达 250°C）	85°C / 85% 相对湿度
静脉输液测量（可选）	阈值电压 (Vth)、导通电阻、击穿电压。详情请联系 ESPEC。