霍尔效应测量装置 HL9900
HL9900 是一款高性能霍尔效应测量系统，能够测量半导体的电阻率、载流子浓度和迁移率。它采用模块化设计，便于升级，适用于测量包括硅和化合物半导体在内的多种材料。

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HL9900是什么？
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我们的HL9900是一款高性能霍尔系统，能够测量半导体的电阻率(p)、载流子浓度(N)和迁移率(x)。其模块化设计使其易于升级，并适用于测量各种材料，包括硅、化合物半导体和金属氧化物薄膜。它
具备低电阻和高电阻测量能力，其双温功能和可选的低温恒温器可将温度范围从90K以下扩展至500K。

（特征①）测量样品的形状和尺寸
虽然样品形状多种多样，但它们通常类似于侧面所示的形状之一。待测样品的主要要求是：接触点（欧姆接触）足够小且沿圆周分布，并且样品厚度均匀。我们推荐三叶草形 (B) 或希腊十字形 (C) 设计，因为这种设计降低了接触点尺寸和位置的重要性，从而最大限度地减少了电阻率 (rs) 和相对电阻 (RH) 的误差。
除了范德堡 (VDP) 霍尔效应测量外，东邦科技的霍尔效应系统还设计用于进行霍尔棒形测量。这种几何形状适用于研究各向异性材料和低电阻率块状材料。

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（功能②）缓冲放大器/高阻模块
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HL9980 高阻抗缓冲放大器/电流源可将薄层电阻测量范围扩展至 100 GΩ/m²，并将源电流降低至 1 pA。将模块靠近样品并使用驱动保护罩，可最大限度地减少电缆电容的影响。产品包含一个专用的屏蔽样品支架（仅限室温操作）。

（功能③）可变温控模块
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HL9950 可变温控模块采用水平连续流液氮设计，可实现 90K 至 500K（-183°C 至 227°C）的温度测量。此外，它还集成了排气功能，可去除可能影响测量的水分。该可变温控模块可巧妙地安装在磁极之间，便于操作。它配备显示/光学窗口，方便使用 HL9920 立体显微镜选件进行探针放置，也可用于光激发，通过光学窗口进行光孔实验。HL9950 与 HL9980 阻抗缓冲放大器完全兼容；当缓冲放大器连接到可变温控模块时，如果样品电流低于 0.1 µA，则会自动切换到测量电路。

（功能④）可进行交流测量。
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东邦霍尔效应测量系统通过施加交流偏置电压，实现交流霍尔效应测量。该功能可用于探测电阻极低的材料，例如高掺杂浓度材料和厚块材料。它尤其适用于高迁移率材料或不宜加热的材料（低温下）。

用途/应用
1材料性能评价
通过对样品施加电场和温度，可以研究半导体中的输运现象。
这使得人们可以研究半导体中的能带形成以及施主和受主能级。
这使得我们可以研究决定载流子迁移率的载流子散射机制。
可以通过测量电阻率、薄层电阻、霍尔系数、多数载流子迁移率、薄层载流子密度和载流子密度来评估材料特性。
图片展示了材料性能评估方法。
2优化外延生长
可以通过测量载流子迁移率来确定外延材料的质量。
测量载流子密度对于分析器件结构至关重要。
霍尔效应测量为表观遗传技术人员提供了关于“下一步该做什么”的直接反馈，以提高材料质量和器件性能。
图片展示了外延生长的优化过程。
3改进外延工艺
霍尔效应测试是一种准确简便的方法，可用于校准 MBE 或 MOCVD 系统中的掺杂率。
霍尔效应测量可用于杂质分析，从而支持 MBE 或 MOCVD 系统中的外延工艺改进。
霍尔效应测量可作为 CV、ECV、SIMS 或光致发光 (P/L) 测试的补充系统。