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原装 toho-tec东朋科技 电化学电容电压分析仪 ECV Pro+

电化学电容电压分析仪:ECV Pro+
电化学电容电压剖面仪 (ECV Pro+) 是一种用于评估半导体材料电学特性的分析仪器,尤其适用于分析掺杂分布(半导体材料内部杂质浓度的分布)。该仪器通过测量对半导体晶片施加电压后产生的电容变化,来分析半导体材料内部不同深度的载流子分布和杂质浓度。

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什么是ECV Pro+?
用途/应用
概述 规格
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什么是ECV Pro+?
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在半导体器件开发中,控制载流子浓度始终是一项关键挑战。ECV Pro+ 是一款基于循环伏安法 (CV) 的器件,但与传统的 CV 方法不同,它使用与材料接触的电解质电化学结(莫特肖特基结)而非金属肖特基结来测量电容和载流子浓度。这使得它能够获取半导体深度方向上的更多信息。传统方法通过施加反向偏置来测量深度方向上的载流子浓度。然而,测量深度受限于样品特定的击穿电压。而使用电解质的方法解决了这个问题。通过反复交替进行刻蚀和电容测量,可以进行不受深度限制的剖面分析。

特点 1:ECV Pro+ 的优势
传统的CV分析方法由于反向电压击穿而导致深度测量受限,但ECV Pro+克服了这一限制。它是一种创新的测量技术,不会限制蚀刻剖面深度方向上的载流子浓度。
该技术的主要特点如下:

没有深度限制:与受反向电压击穿限制的传统 CV 分析方法不同,该方法可以精确测量更深层中的载流子浓度。

多层样品的测量:即使是具有复杂多层结构的样品也能进行高精度测量。

极佳的深度分辨率:深度分辨率可达 1 nm 至 10 nm,即使是微小的载流子浓度分布也能精确测量。

特点 2:提高了自动化测量系统的操作性!
图片仅供参考
无需切割即可测量尺寸从 8 毫米见方到 6 英寸的样品。此外,样品与密封环的接触、电解液注入、泵喷射去除气泡、电解液排出和样品清洗等操作均已实现自动化。更换密封环也十分便捷,只需插入和取出支架即可。与设备配套的自动化软件使任何人都能轻松完成这项工作。

功能 3:ECVision 使用 CCD 相机测​​量蚀刻后的测量区域。
图片仅供参考
它配备了原位相机(ECVision),可以对半导体/电解质界面进行实时成像,从而可以在测量过程中测量和观察样品表面状态以及测量后的蚀刻区域。

用途/应用
1太阳能发电
电化学电容-电压分析仪 (ECV Pro+) 在太阳能电池的开发中至关重要,它可用于评估材料特性、检测缺陷、提升器件性能以及优化制造工艺。ECV Pro+ 能够对半导体材料中的载流子浓度和掺杂分布进行详细测量,从而验证材料的质量和均匀性,并有助于进行设计调整,最终提升器件性能。

太阳能电池的图像
2高波长LED和激光器开发
长波长发光二极管(LED)和激光器通常采用III-V族半导体(例如GaAs和InP)制造。这些器件的发射波长和效率与有源层和外围层的掺杂浓度和分布密切相关。利用ECV Pro+软件,可以精确测量半导体层深度方向上的掺杂分布,从而实现工艺控制,获得最佳器件性能。

图片展示了高波长LED和激光器的发展历程。
3利用 MBE 或 MOCVD 反应器进行外延生长
在采用分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器进行外延生长时,之所以需要电化学电容电压分析仪(ECV Pro+),主要是为了高精度分析掺杂分布、控制材料质量、优化工艺以及提升器件性能。ECV Pro+ 通过精确测量外延层的载流子浓度和掺杂分布,提供信息以确认材料的均匀性和质量,并调整生长条件以实现最佳工艺。
  • 详细介绍

概述 规格

 

载流子浓度测量范围

10 13至 10 20厘米 - 3 *

深度范围

<0.05至>50μm*

深度分辨率

1纳米及以上*

深度精度

0.01 微米 *

载波频率

69赫兹至27千赫兹

偏置电压范围

±10V 直流

光源选项

1. ECVpro-UV 型汞氙灯
2. ECVpro-WL 型卤素灯

爆炸电压

40伏交流电

快门

使用板材的遮光方法

控制电脑

微软Windows 10

尺寸

宽630×深800×高1730毫米

重量

160公斤

电源

110VAC~240VAC <5安培

*取决于测量材料和样品结构。

本文网址 : https://www.yamakin-cn.com/product/8137.html

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